ATP112
--25
ID -- VDS
--60
ID -- VGS
--4
--20
Tc=25 ° C
Single pulse
.0
V
--3
.
5V
--50
VDS= --10V
Single pulse
--15
--
4.
5
V
--3.0
V
--40
--30
--10
--20
--5
VGS= --2.5V
--10
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
--1.8
--2.0
0
0
--0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0 --4.5 --5.0 --5.5 --6.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
90
80
RDS(on) -- VGS
IT15590
Tc=25 ° C
Single pulse
90
85
80
RDS(on) -- Tc
IT15591
Single pulse
3.5
= --
V, D
4.0
= --
= --
S , ID A
VG
--13
4.5
= -- I D=
V GS 0V,
= --
70
60
50
40
30
--3.5A
ID= --13A
--7A
75
70
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
V GS
I
V
10.
A
7A
15
20
0
--1 --2 --3 --4 --5 --6 --7 --8 --9 --10 --11 --12 --13 --14 --15 --16
10
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
5
3
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
| y fs | -- ID
VDS= --10V
Single pulse
IT15592
--100
7
5
3
2
VGS=0V
Single pulse
Case Temperature, Tc -- ° C
IS -- VSD
IT15593
° C
°
2
10
7
5
Tc
=
--2
5 °
25
C
75
C
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
3
2
1.0
--0.1
7
5
3
2
--0.01
7
5
3
2
7
--0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
7 --10
2
3
5
--0.001
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
5
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT15594
5
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT15595
VDD= --30V
f=1MHz
3
VGS= --10V
3
2
100
7
5
td(off)
tf
2
1000
7
5
Ciss
3
3
2
tr
2
Coss
10
td(on)
100
7
C rs s
7
--0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
7 --10
2
3
5
7
5
0
--10
--20
--30
--40
--50
--60
Drain Current, ID -- A
IT15596
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT15597
No. A1754-3/7
相关PDF资料
ATP114-TL-H MOSFET P-CH 60V 55A ATPAK
ATP201-TL-H MOSFET N-CH 30V 35A ATPAK
ATP203-TL-H MOSFET N-CH 30V 75A ATPAK
ATP204-TL-H MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK
ATP206-TL-H MOSFET N-CH 40V 40A ATPAK
ATP207-TL-H MOSFET N-CH 40V 65A ATPAK
ATP208-TL-H MOSFET N-CH 40V 90A ATPAK
ATP212-TL-H MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK
相关代理商/技术参数
ATP113 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
ATP113_12 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
ATP113-TL-H 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ATP114 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
ATP114_12 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
ATP114-TL-H 功能描述:MOSFET SWITCHING MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ATP115SM 制造商:CTS 制造商全称:CTS Corporation 功能描述:Surface Mount Quartz Crystal
ATP11SS-TCB 制造商:Crane Connectors 功能描述: